MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L020N120SC1, VDSS 1200 V, ID 84 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
202-5697
Nº ref. fabric.:
NTH4L020N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

84A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NTH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

220nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3.7V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

510W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

18.62mm

Altura

15.2mm

Anchura

5.2 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 20 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-4L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 20 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-4L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 102 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc o dc, inversor de impulso.

Resistencia de drenaje a conexión de fuente 20Mo

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Sin plomo

En conformidad con RoHS

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