Transistor MOSFET onsemi NTHL040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, TO-247-4 de 4 pines

Código RS:: 202-5705
Nº ref. fabric.:: NTHL040N120SC1
Fabricante:: onsemi

Transistor MOSFET onsemi NTHL040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, TO-247-4 de 4 pines

450 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

18,35 €

(exc. IVA)

22,20 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 8	18,35 €	36,70 €
10 - 24	16,89 €	33,78 €
26 - 98	16,18 €	32,36 €
100 - 248	13,985 €	27,97 €
250 +	13,56 €	27,12 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5705
Nº ref. fabric.:: NTHL040N120SC1
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet - NTHL040N120SC1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 40 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L

El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 60 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en fuentes de alimentación ininterrumpida, convertidor dc/dc, inversor elevador.

Resistencia de drenaje a conexión de fuente 40mO
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Sin plomo
En conformidad con RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Serie	NTH
Tipo de Encapsulado	TO-247-4
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,056 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.3V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1