MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G, VDSS 25 V, ID 365 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
202-5710
Nº ref. fabric.:
NTMFS0D8N02P1ET1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

365A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Serie

NTMFS

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.68mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Disipación de potencia máxima Pd

139W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.3mm

Altura

6.3mm

Anchura

1.1 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET ON Semiconductor Power de un canal N funciona con 365 amperios y 25 voltios. Se puede utilizar en interruptor de carga de potencia, gestión de batería de portátil, convertidor dc/dc.

Baja resistencia de drenaje a encendido de la fuente

Pequeña huella

Baja capacitancia

Sin plomo

En conformidad con RoHS

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