MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS1D7N03CGT1G, VDSS 30 V, ID 170 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
221-6730
Nº ref. fabric.:
NTMFS1D7N03CGT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

DFN

Serie

NTMFS1D7N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.74mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

87W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.1 mm

Altura

6.3mm

Longitud

5.3mm

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia 30V de on Semiconductor utiliza 170 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Mejora la gestión de corriente de entrada y mejora la eficiencia del sistema.

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

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