MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 102 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
202-5734
Nº ref. fabric.:
NVH4L020N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

102A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NVH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

220nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

510W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101 and PPAP Capable

Longitud

15.8mm

Altura

22.74mm

Anchura

5.2 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1.200 V, 20 mohm, TO247?4L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 102 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.

Certificación AEC Q101

Capacidad de proceso de aprobación de piezas de producción

100 % a prueba de avalancha

Baja capacitancia eficaz de salida

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