MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 17 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
202-5746
Nº ref. fabric.:
NVHL160N120SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NVH

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.82 mm

Altura

20.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1.200 V, 160 mohm, TO247-3L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 17 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.

Certificación AEC Q101

100% sometido a pruebas UIL

Baja capacitancia eficaz de salida

En conformidad con RoHS

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