MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS6H888NLTAG, VDSS 80 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5751
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS6H888NLTAG
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 100 unidades)*
29,10 €
(exc. IVA)
35,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 3000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,291 € | 29,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-5751
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS6H888NLTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NVT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 23W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 0.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.55mm | |
| Longitud | 3.55mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NVT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 23W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 0.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.55mm | ||
Longitud 3.55mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de on Semiconductor funciona con 14 amperios y 80 voltios. Tiene un tamaño pequeño para un diseño compacto con baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción.
Certificación AEC Q101
En conformidad con RoHS
Sin plomo
Producto de flanco sumergible
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
