MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG052N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
204-7207
Nº ref. fabric.:
SIHG052N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

SiHG052N60EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

101nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

20.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31 mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er)

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