MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 81 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
204-7223
Nº ref. fabric.:
SiR870BDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

81A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

SiR870BDP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.12 mm

Altura

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.26mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 100 V (D-S) tiene una figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja y está sintonizado para el FOM RDS x QOSS más bajo.

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