MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 41 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 204-7255
- Nº ref. fabric.:
- SIHP068N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
- Código RS:
- 204-7255
- Nº ref. fabric.:
- SIHP068N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 41A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SiHP068N60EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 68mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 27.69mm | |
| Altura | 4.24mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 41A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SiHP068N60EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 68mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 27.69mm | ||
Altura 4.24mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-220 de 3 pines