MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 61 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
205-2428
Nº ref. fabric.:
NTMFS015N15MC
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

61A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

108.7W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Longitud

5.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4.9 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N 150V Power Trench de ON Semiconductor se fabrica mediante un proceso Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

La corriente de drenaje máxima nominal es de 61A

El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 14mohm

Tamaño pequeño (5mm x 6mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

100% sometido a pruebas UIL

El encapsulado es Power 56 (PQFN8)

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