MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS1D8N02P1E, VDSS 25 V, ID 150 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
205-2432
Nº ref. fabric.:
NTTFS1D8N02P1E
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

PQFN

Serie

Power

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

46W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.7mm

Longitud

3.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.2 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N 25V de la serie Power33 de ON Semiconductor se fabrica mediante un proceso Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

La corriente de drenaje máxima nominal es de 150A

La resistencia nominal de drenaje a fuente es de 1,3 Mohmios

Tamaño pequeño para un diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

100% sometido a pruebas UIL

El encapsulado es Power 33 (PQFN8)

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