MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN10H170SFGQ-7, VDSS 100 V, ID 3.7 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines

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Código RS:
206-0073
Nº ref. fabric.:
DMN10H170SFGQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerDI3333

Serie

DMN10

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

133mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.25mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Anchura

3.25 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET DiodesZetex 100V de modo de mejora de par complementario está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Cuenta con certificación AEC-Q101, compatible con PPAP y es ideal para usar en control de motor y función de gestión de potencia.

Baja RDS(ON): Garantiza que se minimicen las pérdidas de estado

Encapsulado térmicamente eficiente de factor de forma pequeño

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