MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN10H170SFGQ-7, VDSS 100 V, ID 3.7 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

13,10 €

(exc. IVA)

15,85 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4150 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 250,524 €13,10 €
50 - 750,513 €12,83 €
100 - 2250,449 €11,23 €
250 - 9750,437 €10,93 €
1000 +0,426 €10,65 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
206-0073
Nº ref. fabric.:
DMN10H170SFGQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerDI3333

Serie

DMN10

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

133mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.25mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET DiodesZetex 100V de modo de mejora de par complementario está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Cuenta con certificación AEC-Q101, compatible con PPAP y es ideal para usar en control de motor y función de gestión de potencia.

Baja RDS(ON): Garantiza que se minimicen las pérdidas de estado

Encapsulado térmicamente eficiente de factor de forma pequeño

Enlaces relacionados