MOSFET, N-Canal DiodesZetex DMN10H170SFGQ-7, VDSS 100 V, ID 3.7 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
206-0073
Nº ref. fabric.:
DMN10H170SFGQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerDI3333

Serie

DMN10

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

133mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.25mm

Altura

750μm

Anchura

3.25mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET DiodesZetex 100V de modo de mejora de par complementario está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Cuenta con certificación AEC-Q101, compatible con PPAP y es ideal para usar en control de motor y función de gestión de potencia.

Baja RDS(ON): Garantiza que se minimicen las pérdidas de estado

Encapsulado térmicamente eficiente de factor de forma pequeño

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