MOSFET, N-Canal Texas Instruments, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, VSONP de 8 pines
- Código RS:
- 208-8479
- Nº ref. fabric.:
- CSD17575Q3
- Fabricante:
- Texas Instruments
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.365,00 €
(exc. IVA)
1.652,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 15.000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,546 € | 1.365,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 208-8479
- Nº ref. fabric.:
- CSD17575Q3
- Fabricante:
- Texas Instruments
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 108W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Texas Instruments | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 108W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
-
-
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, VSONP
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, VSONP
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 16 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, VSONP de 8 pines