MOSFET, Tipo N-Canal Texas Instruments CSD19534Q5A, VDSS 100 V, ID 50 A, Mejora, VSONP de 8 pines
- Código RS:
- 208-8487
- Nº ref. fabric.:
- CSD19534Q5A
- Fabricante:
- Texas Instruments
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
5,90 €
(exc. IVA)
7,10 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 8180 Envío desde el 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,59 € | 5,90 € |
| 50 - 90 | 0,578 € | 5,78 € |
| 100 - 240 | 0,469 € | 4,69 € |
| 250 - 990 | 0,457 € | 4,57 € |
| 1000 + | 0,445 € | 4,45 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 208-8487
- Nº ref. fabric.:
- CSD19534Q5A
- Fabricante:
- Texas Instruments
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | VSONP | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.9mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Anchura | 4.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Texas Instruments | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado VSONP | ||
Serie NexFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.9mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Anchura 4.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
-
-
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, VSONP
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, VSONP
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 16 V Mejora, VSONP de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, VSONP de 8 pines