MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJB46ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
210-5053
Nº ref. fabric.:
SQJB46ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

SQJB46ELP_RC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

34W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Vishay N Channel MOSFET tiene tipo de encapsulado POWERPAK SO-8L.

Valores R-C para el circuito eléctrico en el sistema de alimentación/depósito y. se incluyen configuraciones de cauer/filtro

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