MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ148E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 375 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Código RS:
210-5060
Nº ref. fabric.:
SQJQ148E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

375A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJQ148E

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

325W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

8.1 mm

Altura

1.7mm

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 8 x 8L con corriente de drenaje de

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Certificación AEC-Q101

100 % RG y prueba UIS

Encapsulado delgado de 1,6 mm

Resistencia térmica muy baja

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