MOSFET, N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 10.5 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- Código RS:
- 213-9148
- Nº ref. fabric.:
- DMN10H220LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9148
- Nº ref. fabric.:
- DMN10H220LDV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | DMN10H220LDV | |
| Encapsulado | PowerDI3333 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 222mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie DMN10H220LDV | ||
Encapsulado PowerDI3333 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 222mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN10H220LDV está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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