MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 2.2 A, Mejora, UDFN de 6 pines
- Código RS:
- 213-9151
- Nº ref. fabric.:
- DMN10H220LFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 213-9151
- Nº ref. fabric.:
- DMN10H220LFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | UDFN | |
| Serie | DMN10H220LFDF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 225mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.05mm | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Altura | 0.63mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado UDFN | ||
Serie DMN10H220LFDF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 225mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.05mm | ||
Longitud 2.05mm | ||
Altura 0.63mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN10H220LFDF está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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