MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 213-9161
- Nº ref. fabric.:
- DMN2053UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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*precio indicativo
- Código RS:
- 213-9161
- Nº ref. fabric.:
- DMN2053UWQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMN2053UW | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 560mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.7W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMN2053UW | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 560mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.7W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET DiodesZetex serie DMN2053UW está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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