MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R1K4CEXKSA2, VDSS 800 V, ID 3.9 A, P, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-4355
Nº ref. fabric.:
IPA80R1K4CEXKSA2
Fabricante:
Infineon
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS CE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

P

Disipación de potencia máxima Pd

31W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.85mm

Longitud

10.68mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon CoolMOSE CE utiliza una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión. La capacidad de alta tensión combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.

Cumple con RoHS

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