MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD80R1K4CEATMA1, VDSS 800 V, ID 3.9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4396
Nº ref. fabric.:
IPD80R1K4CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.65mm

Altura

2.35mm

Anchura

6.42 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 800V Cool MOS CE tiene capacidad de alta tensión que combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.

Cumple con RoHS

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