MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 170 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-4445
Nº ref. fabric.:
IRF2907ZSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

270nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon HEXFET Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Tiene una velocidad de conmutación rápida y un valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.

No contiene plomo

Es capaz de soldarse por ola

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