MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSF450NE7NH3XUMA1, VDSS 75 V, ID 15 A, Mejora, MG-WDSON de 6 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*

19,47 €

(exc. IVA)

23,565 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4230 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
15 - 601,298 €19,47 €
75 - 1351,233 €18,50 €
150 - 3601,207 €18,11 €
375 - 7351,129 €16,94 €
750 +1,051 €15,77 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-8982
Nº ref. fabric.:
BSF450NE7NH3XUMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

MG-WDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Longitud

5.49mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.35 mm

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de tecnología OptiMOS 75V se especializa en aplicaciones de rectificación síncrona. Basados en la tecnología 80V líder, estos productos 75V ofrecen simultáneamente las resistencias en estado de conexión más bajas y un rendimiento de conmutación superior. Requiere el menor consumo de espacio de la placa. El R DS(on) más bajo del mundo, con mayor eficiencia y respetuoso con el medio ambiente.

Inductancia parásita baja

100 % a prueba de avalancha

Consta de refrigeración de doble cara

Enlaces relacionados

Recently viewed