MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, MG-WDSON de 7 pines

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Código RS:
214-8967
Nº ref. fabric.:
BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

MG-WDSON

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.05mm

Anchura

6.35 mm

Altura

0.7mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de OptiMOS es líder del mercado en soluciones muy eficientes para generación de energía (por ejemplo, microinversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico). Constan de una gama de transistores MOSFET de bajo consumo en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados.

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