MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6646TRPBF, VDSS 80 V, ID 68 A, WDSON
- Código RS:
- 258-3963
- Nº ref. fabric.:
- IRF6646TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,17 € | 4,34 € |
| 20 - 48 | 1,955 € | 3,91 € |
| 50 - 98 | 1,825 € | 3,65 € |
| 100 - 198 | 1,70 € | 3,40 € |
| 200 + | 1,59 € | 3,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3963
- Nº ref. fabric.:
- IRF6646TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | WDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.5mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado WDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología de silicio de MOSFET de potencia HEXFET de Infineon con encapsulado DirectFETTM avanzado para lograr la resistencia de estado activo más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de un SO-8 y solo 0,7 mm de perfil. El encapsulado DirectFET es compatible con las geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje en PCB y técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o convección. Se sigue la nota de aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.
MOSFET específicos de aplicación
Ideal para convertidor aislado de alto rendimiento
Conector hembra de interruptor primario
Optimizado para rectificación síncrona
Pérdidas de conducción bajas
Alta inmunidad Cdv/dt
Perfil bajo (<0,7 mm)
Compatible con refrigeración de doble cara
Compatible con la técnica de montaje en superficie existente