MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9046
- Nº ref. fabric.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
382,50 €
(exc. IVA)
462,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 10.000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,153 € | 382,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9046
- Nº ref. fabric.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22.7W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22.7W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Tiene un excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines