MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2508
- Nº ref. fabric.:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
765,00 €
(exc. IVA)
925,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 15 de octubre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,306 € | 765,00 € |
| 5000 + | 0,302 € | 755,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2508
- Nº ref. fabric.:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 10.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 10.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de 700 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 700 V, corriente de drenaje continua de 8,5 A - IPD70R600P7SAUMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona en modo de mejora y está diseñado para circuitos que requieren una capacidad de tensión de drenaje-fuente elevada, al tiempo que proporciona un rendimiento de conducción moderado y un manejo térmico para diseños SMD compactos.
Características y ventajas:
• La clasificación drenaje-fuente de 700 V permite tareas de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8.5 A admite conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 600 mΩ limita las pérdidas por conducción en diseños de potencia media
• La disipación de potencia máxima de 10,5 W permite un margen térmico fiable
• La carga de puerta típica de 10,5 nC proporciona transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La corriente de drenaje continua de 8.5 A admite conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 600 mΩ limita las pérdidas por conducción en diseños de potencia media
• La disipación de potencia máxima de 10,5 W permite un margen térmico fiable
• La carga de puerta típica de 10,5 nC proporciona transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta tensión
• Ideal para etapas de conversión de potencia del lado primario
• Se utiliza con topologías resonantes y con conmutación dura
• Puede utilizarse para balastos de iluminación industrial
• Empleado en módulos de potencia SMD compactos
• Ideal para etapas de conversión de potencia del lado primario
• Se utiliza con topologías resonantes y con conmutación dura
• Puede utilizarse para balastos de iluminación industrial
• Empleado en módulos de potencia SMD compactos
¿Qué intervalo de temperatura puede soportar en funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, cubriendo amplios entornos térmicos.
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta para el diseño de PCB?
El dispositivo tiene tres contactos en un encapsulado de montaje en superficie TO‐252 que requiere un diseño de huella SMD convencional.
¿Qué característica de conducción determina la caída de tensión durante el estado encendido?
La resistencia de encendido de 600 mΩ define la caída de tensión en una corriente de drenaje dada y afecta a las pérdidas de conducción.
¿Cómo afecta el accionamiento de puerta al rendimiento de conmutación?
La carga de puerta típica de 10,5 nC en condiciones de Vgs influye en la corriente de accionamiento y la velocidad de conmutación requeridas para una capacidad de controlador de puerta dada.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines