MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Código RS:
222-4932
Nº ref. fabric.:
IPS70R600P7SAKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-251

Serie

IPS70R

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

43.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.4 mm

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

Infineon se ha desarrollado para servir a las tendencias actuales y, especialmente, a las del futuro en topologías de retorno: La nueva serie MOSFET de superunión 700V CoolMOS™ P7 se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo mejoras de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de superunión utilizadas hoy en día. Al combinar las opiniones de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de superunión, el 700V

Permite conmutación de alta velocidad

Diodo Zener de protección integrada

V (GS)th optimizada de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.

Cartera finamente graduada

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