MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2580
- Nº ref. fabric.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,549 € | 41,18 € |
| 150 - 300 | 0,478 € | 35,85 € |
| 375 - 675 | 0,445 € | 33,38 € |
| 750 - 1800 | 0,412 € | 30,90 € |
| 1875 + | 0,39 € | 29,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2580
- Nº ref. fabric.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.82mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.82mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
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