MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPS70R360P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2581
- Nº ref. fabric.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 20 unidades)*
12,86 €
(exc. IVA)
15,56 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 200 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,643 € | 12,86 € |
| 100 - 180 | 0,56 € | 11,20 € |
| 200 - 480 | 0,521 € | 10,42 € |
| 500 - 980 | 0,483 € | 9,66 € |
| 1000 + | 0,45 € | 9,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2581
- Nº ref. fabric.:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 9.82mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 9.82mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-251 de 3 pines