MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R180C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-9095
Nº ref. fabric.:
IPP60R180C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Altura

9.45mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.36mm

Anchura

4.57 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Son adecuados para conmutación dura y suave. Adecuado para aplicaciones como servidor, telecomunicaciones y energía solar.

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC

Adecuado para conmutación dura y suave

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