MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R180C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-9095
Nº ref. fabric.:
IPP60R180C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Altura

9.45mm

Anchura

4.57 mm

Longitud

10.36mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Son adecuados para conmutación dura y suave. Adecuado para aplicaciones como servidor, telecomunicaciones y energía solar.

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC

Adecuado para conmutación dura y suave

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