MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
260-1215
Nº ref. fabric.:
IPP60R040S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPP

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

83nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.36mm

Altura

4.57mm

Anchura

15.95 mm

Estándar de automoción

No

Transistor MOSFET IPP serie Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 13 A - IPP60R040S7XKSA1


Este transistor MOSFET es un componente semiconductor de alto voltaje de última generación diseñado para una conmutación de potencia eficiente. Con especificaciones robustas que incluyen una corriente de drenaje continua de 13 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V, está encapsulado en un encapsulado TO-220, lo que lo hace adecuado para una gran variedad de aplicaciones. Garantiza un rendimiento fiable en entornos exigentes y funciona en una amplia gama de temperaturas, de -55 °C a +150 °C.

Características y ventajas


• Diseñado con tecnología CoolMOS™ S7 para minimizar las pérdidas por conducción

• Ofrece una baja resistencia en estado encendido de 40mΩ para mejorar la eficiencia

• Capaz de manejar altas corrientes de impulso para requisitos exigentes

• Optimizado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia, lo que mejora el rendimiento del sistema

• Las funciones integradas garantizan una alta fiabilidad en situaciones de conmutación estática

Aplicaciones


• Utilizado para relés de estado sólido y diseños innovadores de disyuntores

• Ideal para la rectificación de líneas en aplicaciones de alta potencia, como la informática y las telecomunicaciones

• Aplicable en soluciones de energías renovables, en particular inversores solares

¿Cuáles son las características críticas que influyen en el rendimiento térmico?


El dispositivo cuenta con una disipación de potencia máxima de 245 W y una resistencia térmica de la unión al ambiente de 62 °C/W, lo que facilita una gestión eficaz del calor. Esto garantiza la longevidad y fiabilidad en condiciones de funcionamiento exigentes.

¿Cómo mejora este componente la eficacia del sistema en aplicaciones de baja frecuencia?


Gracias a su baja resistencia en estado encendido y a la tecnología CoolMOS™, las pérdidas de energía durante el funcionamiento se reducen significativamente, lo que permite mejorar la eficiencia global y minimizar la generación de calor en entornos de baja frecuencia.

¿Cuáles son las prácticas recomendadas para utilizarlo en aplicaciones de alta tensión?


Es aconsejable evaluar el impacto de la radiación cósmica durante la fase de diseño y considerar prácticas de diseño apropiadas, como el uso de perlas de ferrita en la puerta para aplicaciones paralelas, para mitigar cualquier problema potencial.

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