MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 260-1215
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R040S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 500 unidades)*
1.434,00 €
(exc. IVA)
1.735,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 06 de septiembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 500 + | 2,868 € | 1.434,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 260-1215
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R040S7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 15.95mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 15.95mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistor MOSFET IPP serie Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 13 A - IPP60R040S7XKSA1
Este transistor MOSFET es un componente semiconductor de alto voltaje de última generación diseñado para una conmutación de potencia eficiente. Con especificaciones robustas que incluyen una corriente de drenaje continua de 13 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V, está encapsulado en un encapsulado TO-220, lo que lo hace adecuado para una gran variedad de aplicaciones. Garantiza un rendimiento fiable en entornos exigentes y funciona en una amplia gama de temperaturas, de -55 °C a +150 °C.
Características y ventajas
• Diseñado con tecnología CoolMOS™ S7 para minimizar las pérdidas por conducción
• Ofrece una baja resistencia en estado encendido de 40mΩ para mejorar la eficiencia
• Capaz de manejar altas corrientes de impulso para requisitos exigentes
• Optimizado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia, lo que mejora el rendimiento del sistema
• Las funciones integradas garantizan una alta fiabilidad en situaciones de conmutación estática
Aplicaciones
• Utilizado para relés de estado sólido y diseños innovadores de disyuntores
• Ideal para la rectificación de líneas en aplicaciones de alta potencia, como la informática y las telecomunicaciones
• Aplicable en soluciones de energías renovables, en particular inversores solares
¿Cuáles son las características críticas que influyen en el rendimiento térmico?
El dispositivo cuenta con una disipación de potencia máxima de 245 W y una resistencia térmica de la unión al ambiente de 62 °C/W, lo que facilita una gestión eficaz del calor. Esto garantiza la longevidad y fiabilidad en condiciones de funcionamiento exigentes.
¿Cómo mejora este componente la eficacia del sistema en aplicaciones de baja frecuencia?
Gracias a su baja resistencia en estado encendido y a la tecnología CoolMOS™, las pérdidas de energía durante el funcionamiento se reducen significativamente, lo que permite mejorar la eficiencia global y minimizar la generación de calor en entornos de baja frecuencia.
¿Cuáles son las prácticas recomendadas para utilizarlo en aplicaciones de alta tensión?
Es aconsejable evaluar el impacto de la radiación cósmica durante la fase de diseño y considerar prácticas de diseño apropiadas, como el uso de perlas de ferrita en la puerta para aplicaciones paralelas, para mitigar cualquier problema potencial.