MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 53.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
214-9120
Nº ref. fabric.:
IPZ60R070P6FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

53.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

100nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

391W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

16.13mm

Altura

21.1mm

Anchura

5.21 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.

Fácil de usar/conducir gracias al contacto de fuente del controlador para mejorar control de la puerta

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC

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