MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF100P218AKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A, Mejora, TO-247
- Código RS:
- 258-3951
- Nº ref. fabric.:
- IRF100P218AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3951
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- IRF100P218AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 483A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 483A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 483 A - IRF100P218AKMA1
Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de canal N de alta corriente diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y se suministra en un encapsulado TO‐247 para montaje en superficie. El dispositivo utiliza conducción de modo de mejora y cumple los requisitos RoHS.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 1.28 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo cargas pesadas
• 100 V Vds permite aplicaciones de potencia de media tensión
• El 483A de corriente continua admite conmutación de alta corriente
• El rango de -55 °C a +175 °C permite el funcionamiento a temperaturas industriales
• La tensión directa de 1,2 V mejora la eficiencia de conducción del diodo
• 100 V Vds permite aplicaciones de potencia de media tensión
• El 483A de corriente continua admite conmutación de alta corriente
• El rango de -55 °C a +175 °C permite el funcionamiento a temperaturas industriales
• La tensión directa de 1,2 V mejora la eficiencia de conducción del diodo
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de accionamiento de motor
• Ideal para la conmutación de salida de inversor
• Se utiliza con diseños de fuentes de alimentación de alta corriente
• Puede utilizarse para convertidores dc-dc en sistemas industriales
• Adecuado para bancos de pruebas de alta corriente y bancos de carga
• Ideal para la conmutación de salida de inversor
• Se utiliza con diseños de fuentes de alimentación de alta corriente
• Puede utilizarse para convertidores dc-dc en sistemas industriales
• Adecuado para bancos de pruebas de alta corriente y bancos de carga
¿Qué disposición de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO‐247 diseñado para montaje en superficie.
¿Qué tipo de conducción emplea el dispositivo?
El transistor es un canal de modo de mejora de tipo N para conmutación controlada.
¿Cumple las restricciones habituales sobre sustancias peligrosas?
Cuenta con la homologación RoHS, lo que indica que las sustancias restringidas están controladas.
¿Qué extremos térmicos puede tolerar durante el funcionamiento?
El dispositivo está especificado para funcionar entre -55 °C y +175 °C.
¿Cuál es la tensión directa típica durante la conducción de diodo de cuerpo?
La tensión directa se especifica en 1,2 V.
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