MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
214-9116
Nº ref. fabric.:
IPW60R180C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolMOS C7

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

0.9V

Certificaciones y estándares

No

Altura

21.1mm

Anchura

5.21 mm

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Son adecuados para funciones de conmutación dura y suave. Adecuado para aplicaciones como servidor, telecomunicaciones y energía solar.

Adecuado para conmutación dura y suave

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC

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