MOSFET Infineon IMZ120R220M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 13 A, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4871
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
5,07 €
(exc. IVA)
6,13 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 4 | 5,07 € |
5 - 9 | 4,81 € |
10 - 24 | 4,62 € |
25 - 49 | 4,41 € |
50 + | 4,11 € |
- Código RS:
- 222-4871
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1.200 V, 220 mΩ en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia de dispositivo que se observan en interruptores de 1.200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y características de estado de conexión sin umbral.
Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Contacto de fuente de controlador para rendimiento de conmutación optimizado
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Contacto de fuente de controlador para rendimiento de conmutación optimizado
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 13 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
Serie | IMZ1 |
Tipo de Encapsulado | TO-247-4 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 4 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 220 m.Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
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