MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 4.7 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4872
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
74,01 €
(exc. IVA)
89,55 €
(inc.IVA)
Añade 60 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 180 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,467 € | 74,01 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4872
- Nº ref. fabric.:
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | IMZ1 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie IMZ1 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1.200 V, 350 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen los niveles más bajos de carga de puerta y capacitancia de dispositivo que se observan en interruptores de 1.200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y características de estado de conexión sin umbral.
Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Contacto de fuente de controlador para rendimiento de conmutación optimizado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines