MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R180C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
214-9117
Nº ref. fabric.:
IPW60R180C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS C7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Certificaciones y estándares

No

Altura

21.1mm

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Son adecuados para funciones de conmutación dura y suave. Adecuado para aplicaciones como servidor, telecomunicaciones y energía solar.

Adecuado para conmutación dura y suave

Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC

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