MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:
215-2460
Nº ref. fabric.:
BSC052N08NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

SuperSO

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 80V con tipo de encapsulado SuperSO8 5x6. Tiene una aplicación potencial como servidor de telecomunicaciones, solar, accionamientos de baja tensión, vehículos eléctricos ligeros y adaptador. Está optimizado para SMPS de alto rendimiento, por ejemplo, SYNC .rec y resistencia térmica superior.

Optimizado para rectificación síncrona

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %

Reducción de R DS(on) hasta el 44 %

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