MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 49 A, N, SuperSO de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

2.575,00 €

(exc. IVA)

3.115,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 10.000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,515 €2.575,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-4327
Nº ref. fabric.:
BSC117N08NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

49A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SuperSO

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.35mm

Altura

1.2mm

Anchura

6.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 80 V, corriente de drenaje continua de 49 A - BSC117N08NS5ATMA1


Este MOSFET es un transistor de potencia de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y un comportamiento de conmutación rápido. El dispositivo se suministra en un encapsulado SuperSO de ocho contactos y está diseñado para usar donde se requiere una baja resistencia de conexión y una capacidad de corriente de drenaje considerable.

Características y ventajas:


• Rds(on) de 11,7 mΩ que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 49 A para el manejo de cargas pesadas
• Valor nominal de drenaje-fuente de 80 V para conmutación de alta tensión
• Carga de puerta de 15 nC para un control de conmutación sensible
• Disipación de potencia máxima de 50 W para un rendimiento térmico robusto

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación de alta eficiencia en electrónica
• Ideal para convertidores dc-dc y rectificación síncrona
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una capacidad de corriente elevada
• Puede utilizarse para telecomunicaciones y distribución de energía de servidor
• Apto para montajes compactos de montaje en superficie de alta densidad

¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, adaptándose a condiciones térmicas hostiles.

¿Cómo ayuda el paquete al diseño a nivel de placa?


La disposición de ocho contactos SuperSO y la altura de perfil bajo de 1,2 mm permiten una colocación densa de componentes y un enrutamiento de baja inductancia.

¿Cuál es la tensión directa típica durante la conducción?


El dispositivo presenta una tensión directa de 1,1 V en condiciones de conducción especificadas, lo que afecta a los cálculos de pérdida de conducción.

¿Qué tensión de puerta máxima debe permitir el diseño?


La puerta debe accionarse dentro de ±20 V para evitar exceder la tensión nominal máxima de puerta-fuente.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.