MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC117N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 49 A, N, SuperSO de 8 pines
- Código RS:
- 214-4328
- Nº ref. fabric.:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,035 € | 15,53 € |
| 75 - 135 | 0,984 € | 14,76 € |
| 150 - 360 | 0,943 € | 14,15 € |
| 375 - 735 | 0,901 € | 13,52 € |
| 750 + | 0,839 € | 12,59 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4328
- Nº ref. fabric.:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.
Es ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos
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