MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 56 A, N, SuperSO de 8 pines
- Código RS:
- 214-4329
- Nº ref. fabric.:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4329
- Nº ref. fabric.:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.
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