MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2486
- Nº ref. fabric.:
- IPA80R900P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
39,65 €
(exc. IVA)
48,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 200 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,793 € | 39,65 € |
| 100 - 200 | 0,642 € | 32,10 € |
| 250 - 450 | 0,595 € | 29,75 € |
| 500 - 950 | 0,563 € | 28,15 € |
| 1000 + | 0,516 € | 25,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2486
- Nº ref. fabric.:
- IPA80R900P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 26W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 26W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK RDS(on).
Protección ESD de diodo Zener integrado hasta clase 2 (HBM)
La mejor calidad y fiabilidad de su clase
Cartera totalmente optimizada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon ID 11 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
