MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R900P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
215-2487
Nº ref. fabric.:
IPA80R900P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

800V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 de súper unión es perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia al satisfacer por completo las necesidades del mercado en rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno sobre la marcha, incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura MOSFET entre 2 °C y 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como con piezas de la competencia probadas en aplicaciones típicas de devolución. También permite diseños de mayor densidad de potencia gracias a menores pérdidas de conmutación y mejores productos DPAK RDS(on).

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