MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPC70N04S54R6ATMA1, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

12,46 €

(exc. IVA)

15,08 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 24.860 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 +0,623 €12,46 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-2500
Nº ref. fabric.:
IPC70N04S54R6ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SuperSO

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.2nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon OptiMOS™-5 serie de transistor de potencia es de tipo N con modo de canal de mejora. El tipo de encapsulado de MOSFET es SuperSO8 5x6 y 8 contactos.

Canal N - modo de mejora - nivel normal

Certificación AEC Q101

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Prueba de avalancha al 100 %

Enlaces relacionados