MOSFET, N-Canal Infineon IPD25N06S4L30ATMA2, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

9,88 €

(exc. IVA)

11,96 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 7100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 +0,494 €9,88 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-2504
Nº ref. fabric.:
IPD25N06S4L30ATMA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia Infineon OptiMOS®-T2 tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 60V, N-Ch, MOSFET de automoción, con tipo de encapsulado DPAK(TO-252).

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.