MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD25N06S4L30ATMA2, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
215-2504
Nº ref. fabric.:
IPD25N06S4L30ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia Infineon OptiMOS®-T2 tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 60V, N-Ch, MOSFET de automoción, con tipo de encapsulado DPAK(TO-252).

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

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