MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2503
- Nº ref. fabric.:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,262 € | 655,00 € |
| 5000 + | 0,25 € | 625,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2503
- Nº ref. fabric.:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.3nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia Infineon OptiMOS®-T2 tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 60V, N-Ch, MOSFET de automoción, con tipo de encapsulado DPAK(TO-252).
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Prueba de avalancha al 100 %
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