MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4667
Nº ref. fabric.:
IPD60N10S4L12ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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