MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.067,50 €

(exc. IVA)

1.292,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 10.000 unidad(es) más para enviar a partir del 28 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,427 €1.067,50 €

*precio indicativo

Código RS:
222-4667
Nº ref. fabric.:
IPD60N10S4L12ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.5mm

Altura

2.3mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

Enlaces relacionados