MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60N10S4L12ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4669
- Nº ref. fabric.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4669
- Nº ref. fabric.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
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